NP80N06PLG-E1B-AY
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Artikelnummer: | NP80N06PLG-E1B-AY |
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Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 80A TO263 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
NP80N06PLG-E1B-AY Einzelheiten PDF [English] | NP80N06PLG-E1B-AY PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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